NOR Flash

Nor Flash与Nand flash的不同之处在于Nor Flash的地址和数据线是不共用的，所以Nor Flash比较象ROM,是可以按地址随机读取的，这样就非常适合存储代码，在开机时从Nor Flash中取代码来执行。在我的板子上有16M的Intel的Nor Flash E28F128J3A150，以此为例来研究一下Nor Flash的一些常用操作。E28F128J3A150每个扇区（sector）是128k，擦除是按扇区操作。

首先来看下E28F128J3A150与s3c2410的接口吧。

一般情况下ROM与s3c2410的接口我们可以在s3c2410的手册上看到，如下图所示

image/nor flash driver/nor flash.jpg

仔细看下16位和8位数据接口在地址线连接上的区别吧，16位的地址线是要移位的，A1接到A0上，这当然是比较容易理解的，位宽大了一倍，地址就少了一条。对于E28F128J3A150其实也是这样，不过又有点不一样，仔细看看E28F128J3A150的手册吧。下面给出接线图。

image/nor flash driver/flash connect.jpg

不同之处E28F128J3A150貌似并没有移位，其实只是因为E28F128J3A150的A1就相对于别的16位ROM的A0，其A0就相当于他们的A(-1)是用来指示8位地址的，所以还是一样的。

来看看Flash操作的命令集吧

image/nor flash driver/nor flash cmd.jpg

以几个比较重要的操作来说明比较容易懂

首先就是Read Identifier Codes

先给定我们的flash开始的地址吧，flash_addr=ioremap(0x0,0x1000000); 物理地址从0x0开始的0x1000000（16M）地址空间，这样得到了可访问的虚拟地址flash_addr

很简单，看命令表,先写一个命令 writew(0x90,flash_addr);

然后把Manufacture Code读回来 readw(flash_addr)；

接着再读Device Code readw(flash_addr+2);

细节部分还是参考手册吧。 其实内核已经MTD驱动完全支持Nor Flash的操作，所以不必要自己再写了。 不过在JTAG烧写flash的程序中可以加入对我们自己的flash的支持。

来看看其中对E28F128J3A150的烧写代码，分析一下。

int Strata_CheckID(int targetAddr)             //返回Manufacture Code
{
    _WR(targetAddr, 0x0090);   
    return _RD(targetAddr);                      //_WR和_RD都是半字操作
}
int Strata_CheckDevice(int targetAddr)       //返回Device Code
{
    _WR(targetAddr, 0x0090);
    return _RD(targetAddr+0x2);
}

看着Block Erase Flowchart再对照着Block Erase的函数看就比较能完全看懂了

void Strata_EraseSector(int targetAddress)
{
    unsigned long ReadStatus;
    unsigned long bSR5;
    unsigned long bSR7;
    _WR(targetAddress, 0x0020);      //擦除命令first cycle
    _WR(targetAddress, 0x00d0);    //擦除命令second cycle
    _WR(targetAddress, 0x0070);      //读状态寄存器命令
    ReadStatus=_RD(targetAddress);  //读状态寄存器
    bSR7=ReadStatus & (1<<7);
    while(!bSR7 )       //需要判断状态寄存器的第７位
	{
	    _WR(targetAddress, 0x0070);
	    ReadStatus=_RD(targetAddress);
	    bSR7=ReadStatus & (1<<7);
	}
	_WR(targetAddress, 0x0070);
	ReadStatus=_RD(targetAddress); 
    bSR5=ReadStatus & (1<<5);          
    if (bSR5==0)
	{
	    printf("Block @%xh Erase O.K. "n",targetAddress);
	}
	else
	{
	    _WR(targetAddress, 0x0050);      //// Clear Status Register
	    error_erase=1;  
	}
    _RESET(); //就相当于_WR(targetAddress, 0x00ff)，回到Read Array的状态。
}

很清晰的流程吧。 Byte/Word Program Flowchart

共两种Program方式可以把数据写到Flash中，一般也只用到这种就可以了

int Strata_ProgFlash(U32 realAddr,U16 data)
{
    unsigned long ReadStatus;
    unsigned long bSR4; 
    unsigned long bSR7;   
    _WR(realAddr, 0x0040);
    _WR(realAddr, data);
    _WR(realAddr, 0x0070);
    ReadStatus=_RD(realAddr);
    bSR7=ReadStatus & (1<<7);
    while(!bSR7)
    {
        _WR(realAddr, 0x0070);
        ReadStatus=_RD(realAddr);
        bSR7=ReadStatus & (1<<7);
    }
    _WR(realAddr, 0x0070);
    ReadStatus=_RD(realAddr);
    bSR4=ReadStatus & (1<<4);
    if (bSR4==0)
    {
        //printf("Successful Program!!"n");
    }
    else
    {
        _WR(realAddr, 0x0050);      // Clear Status Register
        error_program=1;        
    }
    _RESET();
    return 0;
}

以上这种写会很慢，以致于JTAG烧写相当得慢。

int Strata_unprotect_sector(int targetAddr)         //去除sector的写保护
{ 
   int SR7,SR3,SR4,SR5,ReadStatus; 
   int res=0; 
   _WR(targetAddr,0x0050); //Clear Status Register 
   _WR(targetAddr,0x0060); //First bus cycle 
   _WR(targetAddr,0x00D0); //Second bus cycle 
   _WR(targetAddr,0x0070); 
   ReadStatus=_RD(targetAddr); 
   SR7=ReadStatus & (1<<7); 
   while(!SR7) 
   { 
     _WR(targetAddr,0x0070); 
     ReadStatus=_RD(targetAddr); 
     SR7=ReadStatus & (1<<7); 
   }                                                                       
     _WR(targetAddr,0x0070); 
     ReadStatus=_RD(targetAddr); 
     SR3=ReadStatus & (1<<3); 
     SR4=ReadStatus & (1<<4); 
     SR5=ReadStatus & (1<<5); 
     if(SR3) {printf("Voltage Range Error"); res=-1;} 
     if(SR4 && SR5) {printf("Command Sequence Error"); res=-2;} 
     if(SR5) {printf("Clear Block Lock-Bits Error"); res=-3;} 
     _RESET(); 
     return res; 
}

另外按照write to buffer的流程自己写了一个函数，没有test，不想再去烧写了，太烦了，就这样好了。

void Strata_buffer_program(int blockAddress,int tagetAddress,U16* buf)
{
    unsigned long ReadStatus;
    unsigned long bSR4;    
    unsigned long bSR7;
    int i;
       do {
              _WR(blockAddress, 0x00E8);
        _WR(blockAddress, 0x0070);
        ReadStatus=_RD(blockAddress);
        bSR7=ReadStatus & (1<<7);
       } while(!bSR7);
    _WR(blockAddress, 0x001F);
       for(i=0;i<=0x1F;i++)
              _WR(targetAddress+2*i, *(buf+i));
       _WR(blockAddress, 0x00D0);
       do {
        _WR(blockAddress, 0x0070);
        ReadStatus=_RD(blockAddress);
        bSR7=ReadStatus & (1<<7);
       } while(!bSR7);
    _WR(blockAddress, 0x0070);
    ReadStatus=_RD(blockAddress); 
    bSR4=ReadStatus & (1<<4); 
    if (bSR4==0)
    {
        //printf("Successful Program!!"n");
    }
    else
    {
        _WR(blockAddress, 0x0050);
        error_program=1;
    }
    _RESET(); 
}